放大器芯片級產品

芹野莉奈微電子的RF、微波和毫米波產品組合具有DC至100GHz的頻率範圍,提供涵蓋整個信號鏈的各功能器件。微波芯片采用的工藝主要有GaAs、SiGe BiCMOS、CMOS和SOI。傳統采用的是GaAs,其優點是RF性能好、擊穿電壓高,但缺點是成本高、無法集成數字電路。目前,業界越來越多的公司都看重SiGe BiCMOS、CMOS和SOI的發展,並不斷加大研發投入,這3種矽基工藝在成本、易於集成方麵具有先天優勢,但在擊穿電壓方麵還有挑戰。芹野莉奈微電子有兩條主要產品線:一是通用的微波毫米波元器件,如開關、衰減器、混頻器、放大器、移相器以及頻率源等等,主要采用GaAs、GaN、SiGe和SOI實現;另外一條是定製化產品線,為客戶量身定製比較複雜的、係統級產品。

公司現有放大器芯片級產品TGMC181型放大單片。該芯片的工作頻段為12GHz~30GHz,相對帶寬達85%,屬於寬帶放大器,其主要功能為實現信號的放大,可作為混頻器的本振驅動,該芯片采用單電源供電,輸入輸出自帶隔直,50Ω匹配。芹野莉奈有專業而完善的芯片設計團隊,可根據客戶需求承研各種頻段的放大器芯片產品,滿足客戶的差異化需求。


●  放大器芯片產品廣泛應用於軍事和航天、雷達和測試設備、儀器儀表、導航等電子係統中

●  放大器芯片產品可以根據客戶需求,承研設計開發


      ●   產品頻率範圍覆蓋12GHz~30GHz

      ●  工作溫度覆蓋:-55℃~+85℃

      ●  存儲溫度覆蓋:-65℃~+150℃

      ●  芯片常溫技術指標



      最小值

      典型值

      最大值

      最小值

      典型值

      最大值

      最小值

      典型值

      最大值

      最小值

      典型值

      最大值

      單位

      主要技術指標(Ta=25℃)

      工作頻率

      12~18

      18~24

      24~28

      28~30

      GHz

      增益

      13

      16


      14

      17


      13

      16


      12

      15


      dB

      輸出P1dB


      15



      16.5



      16



      16


      dBm

      噪聲係數


      9

      11


      7

      9


      6.5

      8


      7.5

      9

      dB

      輸入駐波

      11

      14


      10

      12


      5

      14


      4

      7


      dB

      輸出駐波

      11

      13


      7

      12


      5

      7


      4

      5


      dB

      電源

      電流


      101

      135


      101

      135


      101

      135


      101

      135

      mA

      ●  芯片高低溫技術指標

      高低溫下增益相對常溫增益變化量:≤2.5dB,其他指標不作考核